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Infineon IGBT / 50 A ±20V max. Dual, 1200 V 285 W AG-34MM


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     822EL-2608887
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FF50R12RT4HOSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 285 W
Gehäusegröße = AG-34MM
Montage-Typ = Chassismontage
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
50 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
285 W
Gehäusegröße:
AG-34MM
Montage-Typ:
Chassismontage
Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, igbt, 2608887, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FF50R12RT4HOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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