| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 822EL-2608888 Herst.-Nr.: FF50R12RT4HOSA1 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 285 W Gehäusegröße = AG-34MM Montage-Typ = Chassismontage Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 50 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 285 W | Gehäusegröße: | AG-34MM | Montage-Typ: | Chassismontage |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt, 2608888, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FF50R12RT4HOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |