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Infineon IGBT / 600 A ±20V max. Dual, 1200 V 3,35 kW AG-PRIME2


Menge:  Packung  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     822EL-2608889
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FF600R12IE4BOSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 600 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 3,35 kW
Gehäusegröße = AG-PRIME2
Montage-Typ = Chassismontage
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
600 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
3,35 kW
Gehäusegröße:
AG-PRIME2
Montage-Typ:
Chassismontage
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2608889, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FF600R12IE4BOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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