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| Artikel-Nr.:
822EL-2615960 Herst.-Nr.:
2SK1317-E EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 7 A
Drain-Source-Spannung max. = 1500 V
Gehäusegröße = SC-65
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 12 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = 2SK1317 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1500 V | Gehäusegröße: | SC-65 | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 12 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | 2SK1317 |
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| Weitere Suchbegriffe: sc transistor, mosfet, 2615960, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Renesas Electronics, 2SK1317E, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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