Kategorien
Österreich
Deutsch
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren		Warenkorb
 		 
 >  >  >  >  >  > Artikel

Vishay SIHB085N60EF-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 650 V / 34 A, 3-Pin TO-263


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
Produktbild
Artikel-Nr.:
     822EL-2688291
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHB085N60EF-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 34 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-263
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
34 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Gehäusegröße:
TO-263
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Channel-Modus:
Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip:
2
Weitere Suchbegriffe: mosfet to-263, 2688291, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHB085N60EFGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
Die Konditionen im Überblick1
Lieferzeit
Lagerstand
Preis
ab € 153,77*
  
Preis gilt ab 500 Packungen
1 Packung enthält 50 Stück (ab € 3,0754* pro Stück)
Konditionen selbst auswählen
Artikel empfehlenArtikel merken
Staffelpreise
Bestellmenge
Netto
Brutto
Einheit
1 Packung
€ 297,19*
€ 356,628
pro Packung
ab 2 Packungen
€ 235,90*
€ 283,08
pro Packung
ab 5 Packungen
€ 222,70*
€ 267,24
pro Packung
ab 10 Packungen
€ 185,51*
€ 222,612
pro Packung
ab 20 Packungen
€ 164,36*
€ 197,232
pro Packung
ab 500 Packungen
€ 153,77*
€ 184,524
pro Packung
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.