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Infineon IGBT-Modul / 28 A +/-20V max., 1200 V 130 W Modul


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-2737398
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FP15R12W1T4B11BOMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
Dauer-Kollektorstrom max. = 28 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = +/-20V
Verlustleistung max. = 130 W
Gehäusegröße = Modul
Montage-Typ = Tafelmontage
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
28 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
+/-20V
Verlustleistung max.:
130 W
Gehäusegröße:
Modul
Montage-Typ:
Tafelmontage
Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, igbt, 2737398, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FP15R12W1T4B11BOMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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Warenzustand:unbenutzt
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