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Infineon IGBT-Modul / 100 A +/-20V max., 1200 V 355 W Modul


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2737409
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FS75R12KT3GBOSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = +/-20V
Verlustleistung max. = 355 W
Gehäusegröße = Modul
Montage-Typ = Tafelmontage
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
100 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
+/-20V
Verlustleistung max.:
355 W
Gehäusegröße:
Modul
Montage-Typ:
Tafelmontage
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2737409, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FS75R12KT3GBOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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