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Vishay SIHB150N60E-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 22 A, 3-Pin TO-263


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2799903
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHB150N60E-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 22 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-263
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
22 A
Drain-Source-Spannung max.:
600 V
Gehäusegröße:
TO-263
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Channel-Modus:
Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: mosfet to-263, 2799903, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHB150N60EGE3
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