| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 822EL-2799903 Herst.-Nr.: SIHB150N60E-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 22 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = TO-263 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 22 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-263 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Channel-Modus: | Enhancement | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet to-263, 2799903, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHB150N60EGE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |