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Infineon HEXFET IRF5801TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 600 mA 2 W, 6-Pin TSOP-6


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
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Artikel-Nr.:
     822EL-301631
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF5801TRPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 600 mA
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = TSOP-6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 2,2 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 2 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 1.5mm
Höhe = 0.9mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 150 V bis 600 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
600 mA
Drain-Source-Spannung max.:
200 V
Gehäusegröße:
TSOP-6
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
6
Drain-Source-Widerstand max.:
2,2 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
5.5V
Gate-Schwellenspannung min.:
3V
Verlustleistung max.:
2 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-30 V, +30 V
Breite:
1.5mm
Höhe:
0.9mm
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, smd transistor, 301631, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF5801TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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