| |
|
| Artikel-Nr.: 822EL-464136 Herst.-Nr.: MJD31CT4G EAN/GTIN: 5059042517743 |
| |
|
| | |
| Transistor-Typ = NPN Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 1,2 V Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm
Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Leistungstransistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | Kollektor-Emitter-Spannung: | 100 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 100 V | Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 1,2 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °Cmm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 464136, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Darlington Transistoren, onsemi, MJD31CT4G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Darlington Pairs |
| | |
| |