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| Artikel-Nr.:
822EL-485638 Herst.-Nr.:
PBSS306NZ,135 EAN/GTIN:
5059043556291 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 5,1 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V
Gehäusegröße = SOT-223 (SC-73)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 2 W
Gleichstromverstärkung min. = 200
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 110 MHz
Pinanzahl = 4
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 1.7 x 6.7 x 3.7mm
NPN-Transistoren mit niedriger Sättigungsspannung. Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-NPN-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen. Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 5,1 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-223 (SC-73) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 2 W | Gleichstromverstärkung min.: | 200 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 100 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 110 MHz | Pinanzahl: | 4 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 1.7 x 6.7 x 3.7mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, smd-transistor npn, 485638, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PBSS306NZ,135, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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