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STMicroelectronics STripFET II STP55NF06FP N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 50 A 30 W, 3-Pin TO-220FP
Menge:
Stück
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
822EL-4862335
Hersteller:
ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
STP55NF06FP
EAN/GTIN:
5059042343113
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-220FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 18 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 30 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 44,5 nC bei 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
50 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
TO-220FP
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
18 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
30 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
44,5 nC bei 10 Vmm
Betriebstemperatur min.:
-55 °Cmm
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Halbleiter
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Diskrete Halbleiter
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Mosfet
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stm mosfet
,
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4862335
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Semiconductors
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