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| Artikel-Nr.:
822EL-508298 Herst.-Nr.:
BAV199W,115 EAN/GTIN:
5059043581354 |
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| Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = SOT-323 (SC-70)
Dauer-Durchlassstrom max. = 135mA
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 85V
Diodenkonfiguration = Serie
Gleichrichter-Typ = Niedriger Leckstrom
Diode Typ = Rectifier
Pinanzahl = 3
Maximaler Spannungsabfall = 1.25V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Diodentechnologie = Siliziumverbindung
Spitzen-Sperrspannung Erholzeit = 3µs
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 4A
Kleinsignal-Schaltdioden, Nexperia. Merkmale. Unterstützt kundenspezifische Schaltungsaufbauten mit hoher Dichte Typen mit geringem Leckstrom und Hochspannung sind erhältlich Hohe Schaltgeschwindigkeiten Niedrige Kapazität Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | SOT-323 (SC-70) | Dauer-Durchlassstrom max.: | 135mA | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 85V | Diodenkonfiguration: | Serie | Gleichrichter-Typ: | Niedriger Leckstrom | Diode Typ: | Rectifier | Pinanzahl: | 3 | Maximaler Spannungsabfall: | 1.25V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Diodentechnologie: | Siliziumverbindung | Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: | 3µs | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 4A |
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| Weitere Suchbegriffe: 508298, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, Nexperia, BAV199W,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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