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Infineon HEXFET IRFP9140NPBF P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 23 A 140 W, 3-Pin TO-247AC


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Infineon HEXFET IRFP9140NPBF P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 23 A 140 W, 3-Pin TO-247AC
Artikel-Nr.:
     822EL-5429816
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFP9140NPBF
EAN/GTIN:
     5059043945750
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 23 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 117 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 140 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 97 nC @ 10 Vmm
Höhe = 20.3mm

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V bis 150 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
23 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Serie:
HEXFET
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
117 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
140 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
97 nC @ 10 Vmm
Höhe:
20.3mm
Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 5429816, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFP9140NPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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