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Vishay IRF9510PBF P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 4 A 43 W, 3-Pin TO-220AB

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Produktinformationen

Vishay IRF9510PBF P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 4 A 43 W, 3-Pin TO-220AB

Artikel-Nr.:
822EL-5430018

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
IRF9510PBF

EAN/GTIN:
5059040894860

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet

Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 4 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,2 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 43 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 8,7 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	P
Dauer-Drainstrom max.:	4 A
Drain-Source-Spannung max.:	100 V
Gehäusegröße:	TO-220AB
Montage-Typ:	THT
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	1,2 Ω
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:	2V
Verlustleistung max.:	43 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:	8,7 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min.:	-55 °Cmm

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Weitere Suchbegriffe: mosfet to-220ab, 5430018, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRF9510PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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