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Vishay IRL640SPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 17 A 3,1 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Menge:
Stück
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
822EL-5430456
Hersteller:
Vishay
Herst.-Nr.:
IRL640SPBF
EAN/GTIN:
5059040928381
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 17 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 180 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 3,1 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -10 V, +10 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 66 nC @ 5 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
17 A
Drain-Source-Spannung max.:
200 V
Gehäusegröße:
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
180 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
1V
Verlustleistung max.:
3,1 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-10 V, +10 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
66 nC @ 5 V
Betriebstemperatur min.:
-55 °C
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Mosfet
Weitere Suchbegriffe:
mosfet 17a
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Art
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