| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 822EL-5452399 Herst.-Nr.: MJD350T4G EAN/GTIN: 5059042785326 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –500 mA Kollektor-Emitter-Spannung = –300 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 1,56 W Gleichstromverstärkung min. = 30 Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor-Basis-Spannung max. = 300 V Basis-Emitter Spannung max. = 3 V Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Abmessungen = 2.38 x 6.73 x 6.22mm
Hersteller-Teilenummern mit S als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | –500 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | –300 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 1,56 W | Gleichstromverstärkung min.: | 30 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 300 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 3 V | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 2.38 x 6.73 x 6.22mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 5452399, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJD350T4G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |