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| Artikel-Nr.:
822EL-6697688 Herst.-Nr.:
ZVP0545GTA EAN/GTIN:
5059043549002 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 75 mA
Drain-Source-Spannung max. = 450 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 150 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Verlustleistung max. = 2000 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
P-Kanal-MOSFET, 100 V bis 450 V, Diodes Inc Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 75 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 450 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 150 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Verlustleistung max.: | 2000 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Simm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: 6697688, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZVP0545GTA, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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