|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-6710781 Herst.-Nr.:
FDT439N EAN/GTIN:
5059042847444 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 6,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 72 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 10,7 nC @ 4,5 V
Höhe = 1.6mm
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor. Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 6,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 72 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 3 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 10,7 nC @ 4,5 V | Höhe: | 1.6mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-223, 6710781, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDT439N, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |