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| Artikel-Nr.: 822EL-6874989 Herst.-Nr.: SKM400GAL12E4 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 618 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = SEMITRANS3 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N Pinanzahl = 5 Transistor-Konfiguration = Einfach Abmessungen = 106.4 x 61.4 x 30.5mm Betriebstemperatur min. = -40 °C
Einfach-IGBT-Module. SEMIKRON bietet IGBT- (Insulated-Gate Bipolar Transistor) Module in SEMITRANS-, SEMiX- und SEMITOP-Paketen in verschiedenen Topologien, Strom und Nennspannungen. Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 618 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Gehäusegröße: | SEMITRANS3 | Montage-Typ: | Tafelmontage | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 5 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 106.4 x 61.4 x 30.5mm | Betriebstemperatur min.: | -40 °C |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 6874989, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Semikron, SKM400GAL12E4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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