STMicroelectronics STripFET II STP120NF10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 120 A 312 W, 3-Pin TO-220

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 120 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = STripFET II
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 10,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 312 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 172 nC bei 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.