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Vishay IGBT / 200 A ±20V max., 600 V, 4-Pin SOT-227 N-Kanal


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Vishay IGBT / 200 A ±20V max., 600 V, 4-Pin SOT-227 N-Kanal
Artikel-Nr.:
     822EL-7004425
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     VS-GA200SA60UP
EAN/GTIN:
     5059040876422
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Tafelmontage
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 4
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 38.3 x 25.7 x 12.3mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C

IGBT-Module, Vishay. Wirksame IGBT-Module von Vishay bieten eine Auswahl von PT-, NPT- und Trench IGBT-Technologien. Die Serie umfasst Einfachschalter, Wechselrichter, Chopper, Halb-Brücken oder kundenspezifische Konfigurationen. Diese IGBT-Module sind für die Verwendung als Hauptschaltkomponente in Schaltnetzteilen, unterbrechungsfreie Stromversorgung, industrielle Schweiß-, Motorantriebs- und Leistungsfaktorkorrektursysteme ausgelegt. Zu den typischen Anwendungen gehören Aufwärts- und Abwärtswandler, Vorwärts- und doppelte Konverter, Halb-Brücken, Voll-Brücken (H-Brücke) und dreiphasige Brücken.. Vielzahl an Industriestandard-Gehäuseversionen Direktmontage auf Kühlkörper Auswahl von PT-, NPT- und Trench IGBT-Technologien Niedrig-VCE (ein) IGBT Schaltfrequenz von 1 kHz bis 150 kHz Robuste Einschwingleistung Hohe Isolationsspannung bis zu 3500 V 100 % bleifrei (Pb) und RoHS-konform Niedriger Wärmewiderstand Großer Betriebstemperaturbereich (-40 °C bis +175 °C)
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
200 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Gehäusegröße:
SOT-227
Montage-Typ:
Tafelmontage
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
4
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Abmessungen:
38.3 x 25.7 x 12.3mm
Betriebstemperatur min.:
-55 °C
Weitere Suchbegriffe: 7004425, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, VSGA200SA60UP, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
Die Konditionen im Überblick1
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