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| Artikel-Nr.:
822EL-7084875 Herst.-Nr.:
IRL630PBF EAN/GTIN:
5059040670174 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 74000 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -10 V, +10 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 40 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 400 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 74000 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -10 V, +10 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 40 nC @ 10 Vmm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, leistungs-mosfet, 7084875, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRL630PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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