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Infineon HEXFET IRLML0040TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 3,6 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23


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Infineon HEXFET IRLML0040TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 3,6 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
Artikel-Nr.:
     822EL-7259347
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRLML0040TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043877471
Suchbegriffe:
Diode
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 56 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 1,3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 2,6 nC @ 4,5 V
Serie = HEXFET

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
3,6 A
Drain-Source-Spannung max.:
40 V
Gehäusegröße:
SOT-23
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
56 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.5V
Gate-Schwellenspannung min.:
1V
Verlustleistung max.:
1,3 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
–16 V, +16 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
2,6 nC @ 4,5 V
Serie:
HEXFET
Weitere Suchbegriffe: MOSFET-Relais, SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, diode infineon, smd transistor, diode sot-23, 7259347, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRLML0040TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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