Infineon OptiMOS™ 3 IPP200N25N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 64 A 300 W, 3-Pin TO-220

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 64 A
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Serie = OptiMOS™ 3
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 20 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 64 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr