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STMicroelectronics MDmesh STP34NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A 210 W, 3-Pin TO-220

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Stück

Produktinformationen

STMicroelectronics MDmesh STP34NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A 210 W, 3-Pin TO-220

Artikel-Nr.:
822EL-7610106

Hersteller:
ST Microelectronics

Herst.-Nr.:
STP34NM60N

EAN/GTIN:
5059042164428

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 29 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = MDmesh
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 105 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 210 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 84 nC @ 10 Vmm
Höhe = 15.75mm

N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	29 A
Drain-Source-Spannung max.:	600 V
Serie:	MDmesh
Montage-Typ:	THT
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	105 mΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	4V
Gate-Schwellenspannung min.:	2V
Verlustleistung max.:	210 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	–25 V, +25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:	84 nC @ 10 Vmm
Höhe:	15.75mm

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Weitere Suchbegriffe: 7610106, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STP34NM60N, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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