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Infineon IGBT-Modul / 580 A ±20V max., 1200 V 2,4 kW, 3-Pin 62MM-Modul N-Kanal
Menge:
Stück
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
822EL-7613751
Hersteller:
Infineon
Herst.-Nr.:
FF450R12KT4HOSA1
EAN/GTIN:
5059043091167
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 580 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 2,4 kW
Konfiguration = Serie
Montage-Typ = Tafelmontage
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Serie
Abmessungen = 106.4 x 61.4 x 30.9mm
Betriebstemperatur min. = -40 °C
IGBT-Module, Infineon. Die IGBT-Module von Infineon bieten einen niedrigen Schaltverlust beim Schalten mit Frequenzen von bis zu 60 kHz. Die IGBTs umspannen eine Reihe von Versorgungsmodulen wie die ECONOPACK-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, PrimePACK-IGBT-Halbbrücken-Choppermodule mit NTC bis 1600/1700 V. Die PrimePACK-IGBTs werden in industriellen, kommerziellen, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeugen verwendet. Die N-Channel TRENCHSTOP ;sup>TM ;/sup>- und Fieldstop-IGBT-Module sind für hartes Schalten und weiches Schalten wie in Wechselrichtern, USV und industriellen Antrieben geeignet.. Gehäuseausführungen umfassen: 62-mm-Modul, EasyPack, EconoPACK ;sup>TM ;/sup>2/EconoPACK ;sup>TM ;/sup>3/EconoPACK ;sup>TM ;/sup>4
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
580 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
2,4 kW
Konfiguration:
Serie
Montage-Typ:
Tafelmontage
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Transistor-Konfiguration:
Serie
Abmessungen:
106.4 x 61.4 x 30.9mm
Betriebstemperatur min.:
-40 °C
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Halbleiter
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Diskrete Halbleiter
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IGBT
Weitere Suchbegriffe:
igbt module
,
7613751
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Halbleiter
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Diskrete Halbleiter
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FF450R12KT4HOSA1
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Semiconductors
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Discrete Semiconductors
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Art
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Zubehör
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Fischer Elektronik
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