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Infineon StrongIRFET IRFB7446PBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 120 A 99 W, 3-Pin TO-220AB
Menge:
Stück
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
822EL-7769181
Hersteller:
Infineon
Herst.-Nr.:
IRFB7446PBF
EAN/GTIN:
5059043912004
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 120 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3,3 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.9V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.2V
Verlustleistung max. = 99 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Länge = 10.67mm
Höhe = 16.51mm
Leistungs-MOSFET StrongIRFET™, Infineon. Die Infineon- StrongIRFET -Familie ist optimiert für geringe R ;sub>DS ;/sub>(ein) und hohe Strombelastbarkeit. Dieses Portfolio bietet eine verbesserte Robustheit am Gate, gegen Lawinendurchschlag und gegen dynamische dv/dt und ist damit ideal für industrielle Anwendungen mit niedriger Frequenz wie Motorantriebe, Elektrowerkzeuge, Wechselrichter und das Batteriemanagement, wo Leistung und Robustheit von zentraler Bedeutung sind.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
120 A
Drain-Source-Spannung max.:
40 V
Gehäusegröße:
TO-220AB
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
3,3 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
3.9V
Gate-Schwellenspannung min.:
2.2V
Verlustleistung max.:
99 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Länge:
10.67mm
Höhe:
16.51mm
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Halbleiter
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Mosfet
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mosfet to-220ab
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Diskrete Halbleiter
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Discrete Semiconductors
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ab 30000 Stück
€ 0,60*
€ 0,72
pro Stück
Zubehör
Folgendes Zubehör führen wir in unserem Sortiment:
Art
Bild
Artikel
Hersteller/-Nr.
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Zubehör
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Bergquist
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Zubehör
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Fischer Elektronik
SK 574/50 SA
ab € 1,82*
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