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onsemi NTS4101PT1G P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,37 A 329 mW, 3-Pin SOT-323


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onsemi NTS4101PT1G P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,37 A 329 mW, 3-Pin SOT-323
Artikel-Nr.:
     822EL-7804767
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NTS4101PT1G
EAN/GTIN:
     5059042486216
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 1,37 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-323
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 160 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V
Verlustleistung max. = 329 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = –55 °Cmm

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 20 V, ON Semiconductor
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
1,37 A
Drain-Source-Spannung max.:
20 V
Gehäusegröße:
SOT-323
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
160 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
1.5V
Verlustleistung max.:
329 mW
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
–8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1mm
Betriebstemperatur min.:
–55 °Cmm
Weitere Suchbegriffe: 7804767, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTS4101PT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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