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Artikel
Toshiba TK TK58E06N1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 105 A 110 W, 3-Pin TO-220
Menge:
Packung
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
822EL-7965106
Hersteller:
Toshiba
Herst.-Nr.:
TK58E06N1
EAN/GTIN:
5059041001830
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
toshiba mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 105 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5,4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 110 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.45mm
Höhe = 15.1mm
MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
105 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
TO-220
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
5,4 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Verlustleistung max.:
110 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Breite:
4.45mm
Höhe:
15.1mm
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Halbleiter
>
Diskrete Halbleiter
>
Mosfet
Weitere Suchbegriffe:
to-220 mosfet
,
7965106
,
Halbleiter
,
Diskrete Halbleiter
,
Toshiba
,
TK58E06N1
,
Semiconductors
,
Discrete Semiconductors
,
MOSFETs
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ab 10 Packungen
€ 7,73*
€ 9,276
pro Packung
ab 20 Packungen
€ 7,26*
€ 8,712
pro Packung
ab 3000 Packungen
€ 5,78*
€ 6,936
pro Packung
Zubehör
Folgendes Zubehör führen wir in unserem Sortiment:
Art
Bild
Artikel
Hersteller/-Nr.
Preis
Zubehör
Bergquist Wärmeleitpad, 1.1W/m·K, Polyamid, Stärke 0.152mm, 19.05 x 12.7mm
Bergquist
SPK6-0.006-00-54
ab € 2,77*
Zubehör
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Fischer Elektronik
SK 487/37,5 SA
ab € 2,10*
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