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| Artikel-Nr.:
822EL-8047616 Herst.-Nr.:
IXDN55N120D1 EAN/GTIN:
5059041489003 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 450 W
Gehäusegröße = SOT-227B
Montage-Typ = SMD
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 4
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 38.2 x 25.07 x 9.6mm
Betriebstemperatur min. = -40 °C
IGBTs, diskret, IXYS Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 100 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 450 W | Gehäusegröße: | SOT-227B | Montage-Typ: | SMD | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 4 | Schaltgeschwindigkeit: | 1MHz | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 38.2 x 25.07 x 9.6mm | Betriebstemperatur min.: | -40 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: ixys igbt, smd transistor, 8047616, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXDN55N120D1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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