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| Artikel-Nr.:
822EL-8054279 Herst.-Nr.:
NST30010MXV6T1G EAN/GTIN:
5059042634990 |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -100 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = –30 V
Gehäusegröße = SOT-563
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 661 mW
Gleichstromverstärkung min. = 420
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Kollektor-Basis-Spannung max. = -30 V
Basis-Emitter Spannung max. = -5 V
Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz
Pinanzahl = 6
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Abmessungen = 1.7 x 1.3 x 0.6mm
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. Universal-PNP-Transistoren, bis zu 1 A, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | -100 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | –30 V | Gehäusegröße: | SOT-563 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 661 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 420 | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Kollektor-Basis-Spannung max.: | -30 V | Basis-Emitter Spannung max.: | -5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Abmessungen: | 1.7 x 1.3 x 0.6mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd-transistor pnp, smd transistor, onsemi transistor, 8054279, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, NST30010MXV6T1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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