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ISSI 16MBit LowPower SRAM 1M, 16bit / Wort 20bit, 2,4 V bis 3,6 V, TSOP 48-Pin
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
822EL-8115175
Hersteller:
ISSI
Herst.-Nr.:
IS61WV102416BLL-10TLI
EAN/GTIN:
k.A.
Suchbegriffe:
S-RAM Support-IC
SRAM
16mbit sram
s-ram support-ic
Speicher Größe = 16MBit
Organisation = 1 MB x 16 bit
Anzahl der Wörter = 1M
Anzahl der Bits pro Wort = 16bit
Zugriffszeit max. = 10ns
Adressbusbreite = 20bit
Low Power = Ja
Timing Typ = Asymmetrisch
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = TSOP
Pinanzahl = 48
Abmessungen = 18.6 x 12.2 x 1.05mm
Arbeitsspannnung max. = 3,6 V
Arbeitsspannnung min. = 2,4 V
Statischer RAM, ISSI. Die ISSI statischen RAM Produkte verwenden die hochleistungsfähige CMOS-Technologie. Es gibt eine breite Palette an statischen RAMs, darunter die 5-V-hochgeschwindigkeitsasynchrone SRAM, die hochschnelle, energiesparende asynchrone SRAM, die energiesparenden 5-V-Typen asynchroner SRAM, die sehr energiesparende statische CMOS-RAM und die asynchrone SRAM PowerSaverTM ;sup> mit ;/sup>geringerer Leistung. Die ISSI SRAM Geräte sind in einer Vielzahl von Spannungen, Speichergrößen und verschiedenen Organisationen verfügbar. Sie sind geeignet für Anwendungen wie zum Beispiel CPU-Cache-Speicher, Embedded Prozessoren, Festplatte und Schalter für Industrieelektronik.. Stromversorgung: 1,8 V/3,3 V/5 V Verfügbare Pakete: BGA, SOJ, SOP sTSOP, TSOP Verfügbare Konfigurationen: x8 und x16 ECC-Funktion für schnelle asynchrone SRAMs
Weitere Informationen:
Speicher Größe:
16MBit
Organisation:
1 MB x 16 bit
Anzahl der Wörter:
1M
Anzahl der Bits pro Wort:
16bit
Zugriffszeit max.:
10ns
Adressbusbreite:
20bit
Low Power:
Ja
Timing Typ:
Asymmetrisch
Montage-Typ:
SMD
Gehäusegröße:
TSOP
Pinanzahl:
48
Abmessungen:
18.6 x 12.2 x 1.05mm
Arbeitsspannnung max.:
3,6 V
Arbeitsspannnung min.:
2,4 V
... >
Halbleiter
>
Speicherbausteine
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SRAM
Weitere Suchbegriffe:
8115175
,
Halbleiter
,
Speicherbausteine
,
ISSI
,
IS61WV102416BLL10TLI
,
Semiconductors
,
Memory Chips
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