|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-8120660 Herst.-Nr.:
IRFU1N60APBF EAN/GTIN:
5059040644618 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = IPAK (TO-251)
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 7 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 36 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | IPAK (TO-251) | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 7 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 36 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 8120660, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFU1N60APBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |