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| Artikel-Nr.: 822EL-8120660 Herst.-Nr.: IRFU1N60APBF EAN/GTIN: 5059040644618 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 1,4 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = IPAK (TO-251) Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 7 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 36 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | IPAK (TO-251) | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 7 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 36 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 8120660, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFU1N60APBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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