|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-8193955 Herst.-Nr.:
SQM50P03-07_GE3 EAN/GTIN:
5059040849006 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 11 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1.5V
Verlustleistung max. = 150 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Serie = SQ Rugged
P-Kanal-MOSFET, SQ robuste Serie, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 50 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 11 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 150 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Serie: | SQ Rugged |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet 50a, 8193955, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQM50P0307_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |