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| Artikel-Nr.: 822EL-8235554 Herst.-Nr.: IPP80P03P4L04AKSA1 EAN/GTIN: 5059043269894 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Serie = OptiMOS P Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 7 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2V Gate-Schwellenspannung min. = 1V Verlustleistung max. = 137 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = –16 V, +5 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P. Die P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS ™ wurden entwickelt, um erweiterte Funktionen bei hochwertiger Leistung zu bieten. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Die Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Automobilindustrie und eMobility.. Enhancement-Modus Für Stoßentladung ausgelegt Niedrige Schalt- und Leitungsverluste Pb-frei Kabel Beschichtung; RoHS-konform Standardgehäuse P-Kanal-Serie OptiMOS™: Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 80 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Serie: | OptiMOS P | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 7 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 137 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –16 V, +5 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 80a, 8235554, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPP80P03P4L04AKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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