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Toshiba TK TK12P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11,5 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Menge:

Packung

Produktinformationen

Toshiba TK TK12P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11,5 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Artikel-Nr.:
822EL-8276126

Hersteller:
Toshiba

Herst.-Nr.:
TK12P60W,RVQ(S

EAN/GTIN:
5059041174022

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
toshiba mosfet
mosfet

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = TK
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 340 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V
Verlustleistung max. = 100 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Höhe = 2.3mm

MOSFET N-Kanal, Serie TK1x, Toshiba

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	11,5 A
Drain-Source-Spannung max.:	600 V
Serie:	TK
Montage-Typ:	SMD
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	340 mΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	3.7V
Verlustleistung max.:	100 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff:	Simm
Höhe:	2.3mm

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Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 8276126, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK12P60W,RVQ(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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