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Toshiba TK TK12P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11,5 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Menge:
Packung
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
822EL-8276126
Hersteller:
Toshiba
Herst.-Nr.:
TK12P60W,RVQ(S
EAN/GTIN:
5059041174022
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
toshiba mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = TK
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 340 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V
Verlustleistung max. = 100 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Höhe = 2.3mm
MOSFET N-Kanal, Serie TK1x, Toshiba
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
11,5 A
Drain-Source-Spannung max.:
600 V
Serie:
TK
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
340 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
3.7V
Verlustleistung max.:
100 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff:
Simm
Höhe:
2.3mm
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Halbleiter
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Diskrete Halbleiter
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Mosfet
Weitere Suchbegriffe:
mosfet dpak
,
8276126
,
Halbleiter
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Diskrete Halbleiter
,
Toshiba
,
TK12P60W,RVQ(S
,
Semiconductors
,
Discrete Semiconductors
,
MOSFETs
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ab 20 Packungen
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€ 7,632
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ab 50 Packungen
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ab 7500 Packungen
€ 4,93*
€ 5,916
pro Packung
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Folgendes Zubehör führen wir in unserem Sortiment:
Art
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Artikel
Hersteller/-Nr.
Preis
Zubehör
EPCOS B828 Stromwandler, Oberflächenmontage, 20:1 20A, 7.11mm x 5.08mm
Epcos
B82801B0205A100
ab € 5,03001*
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