|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-8427933 Herst.-Nr.:
NTMFS5C646NLT1G EAN/GTIN:
5059042347777 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 89 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SO-8FL
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 6,3 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Verlustleistung max. = 66 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 89 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SO-8FL | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 6,3 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Verlustleistung max.: | 66 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 8427933, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTMFS5C646NLT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |