onsemi TVS-Diode Bi-Directional Gemeinsame Anode 66V 35.6V min., 3-Pin, SMD SOT-23

Diodenkonfiguration = Gemeinsame Anode
Klemmenspannung max. = 66V
Durchschlagspannung min. = 35.6V
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = SOT-23
Pinanzahl = 3
Höchstzulässige Pulsverlustleistung = 350W
Impulsspitzen-Strom max. = 8A
ESD Schutz = Ja
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Kapazität = 30pF

NUP2105L, NUP3105L Zwei-Phasen-CAN-Bus-Schutz. On Semiconductor NUP2105L/NUP3105L zweizeilige CAN-Bus-Schutzvorrichtungen wurden entwickelt, um den CAN-Transceiver in Hochgeschwindigkeits- und fehlertoleranten Netzwerken vor ESD und anderen schädlichen transienten Ereignissen zu schützen. Sie bieten bidirektionalen Schutz für jede Datenleitung und verfügen über das kompakte SOT-23-Gehäuse, das die Systemzuverlässigkeit unterstützt und die strengen EMI-Anforderungen erfüllt. Funktionen. Maximale Verlustleistung von 3350 W pro Leitung.. Peak Power Dissipation pro Leitung Niedriger Rückwärtsleckstrom ( ;100 nA) Hochgeschwindigkeits-CAN-Datenraten mit niedriger Kapazität IEC-Kompatibilität: IEC 61000−4−2 (ESD): Stufe 4 IEC 61000−4−4 (EFT): 40 A – 5/50 ns (50 A - 5/50 ns für NUP3105L) IEC 61000-4-5 (Beleuchtung) 8 A (8/20 μs Entflammbarkeitsklasse UL 94 V-0 SZ-Präfix für Kfz- und andere Anwendungen, die eine einzigartige erfordern Anforderungen an Standort- und Steuerungsänderungen; AEC-Q101-zertifiziert und PPAP-fähig. Anwendungen. - Intelligente Verteilungssysteme (SDS) - Industrielle Steuernetzwerke Automobilnetzwerke - Hochgeschwindigkeits- und Niedergeschwindigkeits-CAN - Fehlertoleranter CAN