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| Artikel-Nr.: 822EL-8912743 Herst.-Nr.: GT40QR21,F(O EAN/GTIN: 5059041634779 |
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![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±25V Verlustleistung max. = 230 W Gehäusegröße = TO-3P Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Schaltgeschwindigkeit = 2.5MHz Transistor-Konfiguration = Einfach Abmessungen = 15.5 x 4.5 x 20mm Nennleistung = 0.29mJ
IGBTs, diskret, Toshiba Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 40 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±25V | Verlustleistung max.: | 230 W | Gehäusegröße: | TO-3P | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Schaltgeschwindigkeit: | 2.5MHz | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 15.5 x 4.5 x 20mm | Nennleistung: | 0.29mJ |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt, 8912743, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, GT40QR21,F(O, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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