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| Artikel-Nr.: 822EL-8962344 Herst.-Nr.: TK32A12N1,S4X(S EAN/GTIN: 5059041814690 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 60 A Drain-Source-Spannung max. = 120 V Serie = TK Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 13,8 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Verlustleistung max. = 30 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm Höhe = 15mm
MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 60 A | Drain-Source-Spannung max.: | 120 V | Serie: | TK | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 13,8 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Verlustleistung max.: | 30 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Höhe: | 15mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 8962344, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK32A12N1,S4X(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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