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| Artikel-Nr.:
822EL-8977400 Herst.-Nr.:
IPA60R199CPXKSA1 EAN/GTIN:
5059043846897 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 16 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-220 FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 199 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 34 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = CoolMOS CP
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™CP Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 16 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-220 FP | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 199 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 34 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | CoolMOS CP |
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| Weitere Suchbegriffe: to-220 mosfet, 8977400, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPA60R199CPXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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