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| Artikel-Nr.:
822EL-8977664 Herst.-Nr.:
IPZ65R045C7XKSA1 EAN/GTIN:
5059043839509 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 46 A
Drain-Source-Spannung max. = 700 V
Gehäusegröße = TO-247-4
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 45 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 227 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = –55 °CV
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 46 A | Drain-Source-Spannung max.: | 700 V | Gehäusegröße: | TO-247-4 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 45 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Verlustleistung max.: | 227 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °CV |
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| Weitere Suchbegriffe: 8977664, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPZ65R045C7XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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