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| Artikel-Nr.: 822EL-8986895 Herst.-Nr.: IPP60R099C6XKSA1 EAN/GTIN: 5059043849119 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 37,9 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Serie = CoolMOS™ C6 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 99 mΩ Channel-Modus = Enhancement Verlustleistung max. = 35 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm Betriebstemperatur min. = –55 °CV
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 37,9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Serie: | CoolMOS™ C6 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 99 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Verlustleistung max.: | 35 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °CV |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 8986895, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPP60R099C6XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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