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| Artikel-Nr.:
822EL-8986895 Herst.-Nr.:
IPP60R099C6XKSA1 EAN/GTIN:
5059043849119 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 37,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolMOS™ C6
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 99 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 35 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = –55 °CV
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 37,9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Serie: | CoolMOS™ C6 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 99 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Verlustleistung max.: | 35 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °CV |
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| Weitere Suchbegriffe: 8986895, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPP60R099C6XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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