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| Artikel-Nr.:
822EL-8986927 Herst.-Nr.:
IPW65R080CFDAFKSA1 EAN/GTIN:
5059043853987 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 43,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 700 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 80 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 391 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = CoolMOS CFD
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE/CFD von Infineon Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 43,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 700 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 80 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Verlustleistung max.: | 391 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | CoolMOS CFD |
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| Weitere Suchbegriffe: 8986927, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPW65R080CFDAFKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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