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| Artikel-Nr.:
822EL-9056172 Herst.-Nr.:
SKM100GB176D EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 125 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Gehäusegröße = SEMITRANS2
Montage-Typ = Tafelmontage
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 7
Transistor-Konfiguration = Serie
Abmessungen = 94 x 34 x 30.5mm
Betriebstemperatur min. = -40 °C
Duale IGBT-Module. Eine Serie von SEMITOP® IGBT-Modulen von Semikron einschließlich zwei in Reihe geschalteten IGBT-Geräten (Halbbrücke). Die Module sind in einem großen Spannungs- und Strombereich erhältlich und für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen wie AC-Wechselrichter-Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen geeignet. Kompaktes SEMITOP®-Gehäuse Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 125 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1700 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Gehäusegröße: | SEMITRANS2 | Montage-Typ: | Tafelmontage | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 7 | Transistor-Konfiguration: | Serie | Abmessungen: | 94 x 34 x 30.5mm | Betriebstemperatur min.: | -40 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 9056172, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Semikron, SKM100GB176D, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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