|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-9064384 Herst.-Nr.:
IPW65R190CFDFKSA1 EAN/GTIN:
5059043842301 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 17,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 151 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = CoolMOS CFD
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE/CFD von Infineon Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 17,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 190 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Verlustleistung max.: | 151 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | CoolMOS CFD |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet 17a, 9064384, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPW65R190CFDFKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |