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| Artikel-Nr.: 822EL-9114830 Herst.-Nr.: SPW20N60C3FKSA1 EAN/GTIN: 5059043242521 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 20,7 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3.9V Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V Verlustleistung max. = 208 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Breite = 5.3mm Höhe = 20.95mm
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 20,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 190 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.9V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.1V | Verlustleistung max.: | 208 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 5.3mm | Höhe: | 20.95mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet 20a, 9114830, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, SPW20N60C3FKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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