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| Artikel-Nr.:
822EL-9115019 Herst.-Nr.:
IPW60R041C6FKSA1 EAN/GTIN:
5059043898070 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 77,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 41 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 481 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 5.21mm
Höhe = 21.1mm
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 77,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 41 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 481 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 5.21mm | Höhe: | 21.1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet infineon, leistungs-mosfet, 9115019, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPW60R041C6FKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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