|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-9140223 Herst.-Nr.:
IPD80R1K0CEATMA1 EAN/GTIN:
5059043270302 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 950 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.9V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V
Verlustleistung max. = 83 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 31 nC @ 10 V
Diodendurchschlagsspannung = 1.2V
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 950 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.9V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.1V | Verlustleistung max.: | 83 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 31 nC @ 10 V | Diodendurchschlagsspannung: | 1.2V |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 9140223, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD80R1K0CEATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |